以NAND 為基礎的快閃記憶體擁有單層儲存單元(SLC)以及多層儲存單元(MLC)兩種技術。
SLC 是'Single-Level Cell'的縮寫：
SLC 一次儲存一組位元，擁有傳輸速度快，低耗能及較長使用壽命等優點，SLC唯一的缺點就是成本高，因此多使用在高效能記憶卡上。
MLC 是'Multi-level Cell'的縮寫:
MLC每單位晶片可以儲存三bit以上的資訊。也因為一次多層儲存，所以傳輸速度比較慢, 耗能比SLC高，使用壽命較短，使用MLC的記憶卡優點在於生產成本較低。MLC技術多應用在一般標準儲存裝置上。多位儲存單元MBC(Multi-Bit Cell)，作業模式與 MLC類似, 但是每晶片單元只能儲存二bit資訊。
